В России создан первый координатный детектор на полупроводниках
Собран и протестирован первый разработанный в России координатный детектор на полупроводниках – Gintos. Он способен выдерживать очень высокие потоки энергии. Ранее такие устройства часто покупали за границей. Разработка принадлежит ученым Томского государственного университета (ТГУ) и Института ядерной физики (ИЯФ) Сибирского отделения Российской академии наук (РАН).
"Технологии изготовления детекторов в постсоветское время в России были утрачены, поэтому такие изделия в основном закупали за рубежом. Сейчас стране очень нужны свои детекторы, поэтому результат работы ученых ТГУ и ИЯФ СО РАН – существенный технологический прорыв", - приводит ТАСС слова замдиректора ЦКП "СКИФ" по научной работе Яна Зубавичуса.
По словам главного научного сотрудника ИЯФ СО РАН, ведущего научного сотрудника лаборатории детекторов синхротронного излучения ТГУ, руководителя проекта Льва Шехтмана, детектор Gintos позволит исследовать реакцию материалов на импульсные тепловые и механические нагрузки. Это необходимо для понимания процессов, которые будут происходить, например, в строящемся термоядерном реакторе ITER при попадании раскаленной плазмы на вольфрамовую стенку. Также детектор позволит исследовать распространение ударных волн и других динамических процессов в микросекундном диапазоне.